NVD5890NT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVD5890NT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Specifiche:	NVD5890NT4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	77961 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77961 pcs

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Specifiche di NVD5890NT4G

Modello di prodotti	NVD5890NT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	77961 pcs	Scheda dati	NVD5890NT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.7 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	4W (Ta), 107W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	NVD5890NT4G-VF01 NVD5890NT4G-VF01-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4760pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Ta), 123A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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