NVJD5121NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVJD5121NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Specifiche:	NVJD5121NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	230702 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 230702 pcs

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Specifiche di NVJD5121NT1G

Modello di prodotti	NVJD5121NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	230702 pcs	Scheda dati	NVJD5121NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Potenza - Max	250mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Altri nomi	NVJD5121NT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.9nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	295mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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