NVMD3P03R2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVMD3P03R2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Specifiche:	NVMD3P03R2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	120148 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 120148 pcs

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Specifiche di NVMD3P03R2G

Modello di prodotti	NVMD3P03R2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	120148 pcs	Scheda dati	NVMD3P03R2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
Potenza - Max	730mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	NVMD3P03R2G-ND NVMD3P03R2GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 24V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.34A	Numero di parte base	NTMD3P03

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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