NVMFS5832NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVMFS5832NLT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Specifiche:	NVMFS5832NLT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	65895 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NVMFS5832NLT1G

Modello di prodotti	NVMFS5832NLT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	65895 pcs	Scheda dati	NVMFS5832NLT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 127W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	NVMFS5832NLT1GOSDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 21A (Ta) 3.7W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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