NVMFS5C646NLAFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVMFS5C646NLAFT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN
Specifiche:	NVMFS5C646NLAFT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	177722 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 177722 pcs

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Specifiche di NVMFS5C646NLAFT1G

Modello di prodotti	NVMFS5C646NLAFT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	177722 pcs	Scheda dati	NVMFS5C646NLAFT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 79W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2164pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33.7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 20A (Ta), 93A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 93A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
UPS	www.UPS.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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