NVMFS6B85NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVMFS6B85NLT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Specifiche:	NVMFS6B85NLT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	218113 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 218113 pcs

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Specifiche di NVMFS6B85NLT1G

Modello di prodotti	NVMFS6B85NLT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	218113 pcs	Scheda dati	NVMFS6B85NLT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	46 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.5W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	Altri nomi	NVMFS6B85NLT1G-ND NVMFS6B85NLT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 5.6A (Ta), 19A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta), 19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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