RFD3055LESM9A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RFD3055LESM9A
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Specifiche:	RFD3055LESM9A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	115538 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115538 pcs

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Specifiche di RFD3055LESM9A

Modello di prodotti	RFD3055LESM9A	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	115538 pcs	Scheda dati	RFD3055LESM9A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252AA
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	107 mOhm @ 8A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	RFD3055LESM9ACT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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