SBSS84LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SBSS84LT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Specifiche:	SBSS84LT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1131493 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1131493 pcs

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Specifiche di SBSS84LT1G

Modello di prodotti	SBSS84LT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1131493 pcs	Scheda dati	SBSS84LT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	10 Ohm @ 100mA, 5V
Dissipazione di potenza (max)	225mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	SBSS84LT1G-ND SBSS84LT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 5V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Tensione drain-source (Vdss)	50V
Descrizione dettagliata	P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	130mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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