SMUN5213DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SMUN5213DW1T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Specifiche:	SMUN5213DW1T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	178232 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 178232 pcs

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Specifiche di SMUN5213DW1T1G

Modello di prodotti	SMUN5213DW1T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	178232 pcs	Scheda dati	SMUN5213DW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms	Potenza - Max	187mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi	SMUN5213DW1T1GOSCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	-	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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