SSU1N50BTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SSU1N50BTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Specifiche:	SSU1N50BTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	188215 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 188215 pcs

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Specifiche di SSU1N50BTU

Modello di prodotti	SSU1N50BTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	188215 pcs	Scheda dati	SSU1N50BTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251 (IPAK)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5.3 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 26W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	520V	Descrizione dettagliata	N-Channel 520V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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