AS6C2008-55BIN

Alliance Memory, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	AS6C2008-55BIN
Costruttore / Marca:	Alliance Memory, Inc.
Descrizione del prodotto	IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Specifiche:	AS6C2008-55BIN.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	45357 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45357 pcs

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Specifiche di AS6C2008-55BIN

Modello di prodotti	AS6C2008-55BIN	fabbricante	Alliance Memory, Inc.
Descrizione	IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	45357 pcs	Scheda dati	AS6C2008-55BIN.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	55ns	Tensione di alimentazione -	2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia	SRAM - Asynchronous	Contenitore dispositivo fornitore	36-TFBGA (6x8)
Serie	-	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	36-TFBGA	Altri nomi	1450-1171 AS6C2008-55BIN-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	2Mb (256K x 8)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	SRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)	Tempo di accesso	55ns

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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