AOSD62666E

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	AOSD62666E
Costruttore / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	152413 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152413 pcs

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Specifiche di AOSD62666E

Modello di prodotti	AOSD62666E	fabbricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	152413 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Potenza - Max	2.5W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	785-1792-2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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