AOTF262L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	AOTF262L
Costruttore / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A
Specifiche:	1.AOTF262L.pdf 2.AOTF262L.pdf 3.AOTF262L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5069 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5069 pcs

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Specifiche di AOTF262L

Modello di prodotti	AOTF262L	fabbricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5069 pcs	Scheda dati	1.AOTF262L.pdf 2.AOTF262L.pdf 3.AOTF262L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3F
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	785-1714-5 AOTF262L-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8140pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 17.5A (Ta), 85A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17.5A (Ta), 85A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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