AOY2N60

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	AOY2N60
Costruttore / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	AOY2N60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	349438 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 349438 pcs

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Specifiche di AOY2N60

Modello di prodotti	AOY2N60	fabbricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	349438 pcs	Scheda dati	AOY2N60.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Stub Leads, IPak	temperatura di esercizio	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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