DMG2302UQ-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG2302UQ-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Specifiche:	DMG2302UQ-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	681611 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 681611 pcs

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Specifiche di DMG2302UQ-13

Modello di prodotti	DMG2302UQ-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	681611 pcs	Scheda dati	DMG2302UQ-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 50µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	DMG2302UQ-13DI
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	594.3pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 4.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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