DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG4511SK4-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Specifiche:	DMG4511SK4-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	90403 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMG4511SK4-13

Modello di prodotti	DMG4511SK4-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	90403 pcs	Scheda dati	DMG4511SK4-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252-4L
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 8A, 10V
Potenza - Max	1.54W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Altri nomi	DMG4511SK4-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.7nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel, Common Drain	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	35V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A, 5A	Numero di parte base	DMG4511

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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