DMN1029UFDB-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN1029UFDB-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Specifiche:	DMN1029UFDB-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	750723 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 750723 pcs

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Specifiche di DMN1029UFDB-13

Modello di prodotti	DMN1029UFDB-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	750723 pcs	Scheda dati	DMN1029UFDB-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type B)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Potenza - Max	1.4W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-UDFN Exposed Pad	Altri nomi	DMN1029UFDB-13DI
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 6V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 8V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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