DMN2170U-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN2170U-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Specifiche:	DMN2170U-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6959 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6959 pcs

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Specifiche di DMN2170U-7

Modello di prodotti	DMN2170U-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6959 pcs	Scheda dati	DMN2170U-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	DMN2170UDITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	217pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 2.3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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