DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN3015LSD-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Specifiche:	DMN3015LSD-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	111557 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMN3015LSD-13

Modello di prodotti	DMN3015LSD-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	111557 pcs	Scheda dati	DMN3015LSD-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Potenza - Max	1.2W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	DMN3015LSD-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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