DMN4800LSSL-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN4800LSSL-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Specifiche:	DMN4800LSSL-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	156895 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156895 pcs

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Specifiche di DMN4800LSSL-13

Modello di prodotti	DMN4800LSSL-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	156895 pcs	Scheda dati	DMN4800LSSL-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	14 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.46W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	DMN4800LSSL-13DIDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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