DMN61D8LVT-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN61D8LVT-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Specifiche:	DMN61D8LVT-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	149643 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149643 pcs

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Specifiche di DMN61D8LVT-13

Modello di prodotti	DMN61D8LVT-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	149643 pcs	Scheda dati	DMN61D8LVT-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potenza - Max	820mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMN61D8LVT-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	630mA

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Post-Vendita
Specifiche

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