DMN62D0LFD-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN62D0LFD-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Specifiche:	DMN62D0LFD-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1648901 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1648901 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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6000 pcs: $0.018

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Specifiche di DMN62D0LFD-7

Modello di prodotti	DMN62D0LFD-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1648901 pcs	Scheda dati	DMN62D0LFD-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	X1-DFN1212-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)	480mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	3-UDFN	Altri nomi	DMN62D0LFD-7DITR DMN62D0LFD-7TR DMN62D0LFD-7TR-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	310mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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