DMP21D0UFB4-7B

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMP21D0UFB4-7B
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Specifiche:	DMP21D0UFB4-7B.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	191059 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 191059 pcs

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Specifiche di DMP21D0UFB4-7B

Modello di prodotti	DMP21D0UFB4-7B	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	191059 pcs	Scheda dati	DMP21D0UFB4-7B.pdf
Vgs (th) (max) a Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	X2-DFN1006-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	430mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	3-XFDFN	Altri nomi	DMP21D0UFB4-7BDIDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.54nC @ 8V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	770mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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