DMT10H010LPS-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMT10H010LPS-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 9.4A
Specifiche:	DMT10H010LPS-13.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
Condizione di scorta	49142 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49142 pcs

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Specifiche di DMT10H010LPS-13

Modello di prodotti	DMT10H010LPS-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.4A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
quantità disponibile	49142 pcs	Scheda dati	DMT10H010LPS-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.2W (Ta), 139W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	DMT10H010LPS-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 98A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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