DMT3009LFVW-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMT3009LFVW-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Specifiche:	DMT3009LFVW-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	425830 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 425830 pcs

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Specifiche di DMT3009LFVW-13

Modello di prodotti	DMT3009LFVW-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	425830 pcs	Scheda dati	DMT3009LFVW-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	11 mOhm @ 14.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	823pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	3.8V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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