DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMTH6010LPD-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
Specifiche:	DMTH6010LPD-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	177549 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 177549 pcs

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Specifiche di DMTH6010LPD-13

Modello di prodotti	DMTH6010LPD-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	177549 pcs	Scheda dati	DMTH6010LPD-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Potenza - Max	2.8W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	DMTH6010LPD-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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