ZVN4210GTA

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZVN4210GTA
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Specifiche:	ZVN4210GTA.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
Condizione di scorta	96439 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di ZVN4210GTA

Modello di prodotti	ZVN4210GTA	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
quantità disponibile	96439 pcs	Scheda dati	ZVN4210GTA.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	ZVN4210GCT ZVN4210GTA-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 800mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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