ZXMC3A16DN8TC

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMC3A16DN8TC
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Specifiche:	ZXMC3A16DN8TC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	50073 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50073 pcs

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Specifiche di ZXMC3A16DN8TC

Modello di prodotti	ZXMC3A16DN8TC	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	50073 pcs	Scheda dati	ZXMC3A16DN8TC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA (Min)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max	1.25W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	ZXMC3A16DN8TCDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A, 4.1A

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Post-Vendita
Specifiche

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