ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMC4559DN8TC
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Specifiche:	ZXMC4559DN8TC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	45020 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45020 pcs

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Specifiche di ZXMC4559DN8TC

Modello di prodotti	ZXMC4559DN8TC	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	45020 pcs	Scheda dati	ZXMC4559DN8TC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA (Min)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max	2.1W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	ZXMC4559DN8TCDICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A, 2.6A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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