ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMHC10A07N8TC
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Specifiche:	ZXMHC10A07N8TC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	72968 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di ZXMHC10A07N8TC

Modello di prodotti	ZXMHC10A07N8TC	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	72968 pcs	Scheda dati	ZXMHC10A07N8TC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Potenza - Max	870mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	ZXMHC10A07N8DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800mA, 680mA	Numero di parte base	ZXMHC10A07

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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