ZXMN6A08E6QTA

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMN6A08E6QTA
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Specifiche:	ZXMN6A08E6QTA.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	231213 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 231213 pcs

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Specifiche di ZXMN6A08E6QTA

Modello di prodotti	ZXMN6A08E6QTA	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	231213 pcs	Scheda dati	ZXMN6A08E6QTA.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 4.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6	Altri nomi	ZXMN6A08E6QTADITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	459pF @ 40V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)
Numero di parte base	ZXMN6A08

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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