ZXMN6A25G

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMN6A25G
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Specifiche:	ZXMN6A25G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2934 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2934 pcs

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Specifiche di ZXMN6A25G

Modello di prodotti	ZXMN6A25G	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2934 pcs	Scheda dati	ZXMN6A25G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	50 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	ZXMN6A25GDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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