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EPC2107ENGRT

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: EPC2107ENGRT
Costruttore / Marca: EPC
Descrizione del prodotto TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Specifiche: EPC2107ENGRT.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 98397 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 98397 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di EPC2107ENGRT

Modello di prodotti EPC2107ENGRT fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 98397 pcs Scheda dati EPC2107ENGRT.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA Contenitore dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Serie eGaN® Rds On (max) a Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Potenza - Max - imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 9-VFBGA Altri nomi 917-EPC2107ENGRTR
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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