IRF640L

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF640L
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Specifiche:	IRF640L.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4286 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4286 pcs

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Specifiche di IRF640L

Modello di prodotti	IRF640L	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 18A TO-262	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4286 pcs	Scheda dati	IRF640L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 130W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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