IRF830ALPBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF830ALPBF
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Specifiche:	IRF830ALPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	39385 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IRF830ALPBF

Modello di prodotti	IRF830ALPBF	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	39385 pcs	Scheda dati	IRF830ALPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.4 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Altri nomi	*IRF830ALPBF
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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