IRFBE20PBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFBE20PBF
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Specifiche:	1.IRFBE20PBF.pdf 2.IRFBE20PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	57685 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57685 pcs

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Specifiche di IRFBE20PBF

Modello di prodotti	IRFBE20PBF	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	57685 pcs	Scheda dati	1.IRFBE20PBF.pdf 2.IRFBE20PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	54W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	*IRFBE20PBF
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	800V
Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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