IRFD213

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFD213
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Specifiche:
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5776 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5776 pcs

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Specifiche di IRFD213

Modello di prodotti	IRFD213	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5776 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	2 Ohm @ 270mA, 10V	Dissipazione di potenza (max)	-
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	4-DIP (0.300", 7.62mm)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	250V	Descrizione dettagliata	N-Channel 250V 450mA (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	450mA (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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