IRFIB5N65APBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFIB5N65APBF
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Specifiche:	IRFIB5N65APBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	24493 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IRFIB5N65APBF

Modello di prodotti	IRFIB5N65APBF	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	24493 pcs	Scheda dati	IRFIB5N65APBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	930 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Altri nomi	*IRFIB5N65APBF
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1417pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.1A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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