IRFS11N50ATRLP

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFS11N50ATRLP
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Specifiche:	IRFS11N50ATRLP.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	46094 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46094 pcs

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Specifiche di IRFS11N50ATRLP

Modello di prodotti	IRFS11N50ATRLP	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	46094 pcs	Scheda dati	IRFS11N50ATRLP.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263AB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	520 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1423pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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