IRLD120PBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRLD120PBF
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Specifiche:	IRLD120PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	105959 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IRLD120PBF

Modello di prodotti	IRLD120PBF	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	105959 pcs	Scheda dati	IRLD120PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	270 mOhm @ 780mA, 5V
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Altri nomi	*IRLD120PBF
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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