1N8034-GA

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1N8034-GA
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Specifiche:	1N8034-GA.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	474 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 474 pcs

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Specifiche di 1N8034-GA

Modello di prodotti	1N8034-GA	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	474 pcs	Scheda dati	1N8034-GA.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Silicon Carbide Schottky	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	9.4A (DC)
Tensione - Ripartizione	TO-257	Serie	-
Stato RoHS	Tube	Tempo di ripristino inverso (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistenza a If, F	1107pF @ 1V, 1MHz	Polarizzazione	TO-257-3
Altri nomi	1242-1121 1N8034GA	Temperatura di funzionamento - Giunzione	0ns
Tipo montaggio	Through Hole	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	1N8034-GA	Descrizione espansione	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257
Configurazione diodo	5µA @ 650V	Descrizione	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Corrente - Dispersione inversa a Vr	1.34V @ 10A	Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	650V
Capacità a Vr, F	-55°C ~ 250°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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