2N7639-GA

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N7639-GA
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS SJT 650V 15A TO-257
Specifiche:	2N7639-GA.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5210 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5210 pcs

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Specifiche di 2N7639-GA

Modello di prodotti	2N7639-GA	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	TRANS SJT 650V 15A TO-257	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5210 pcs	Scheda dati	2N7639-GA.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-257
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	105 mOhm @ 15A
Dissipazione di potenza (max)	172W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-257-3	Altri nomi	1242-1150
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1534pF @ 35V	Tipo FET	-
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc) (155°C)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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