GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GA10SICP12-263
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Specifiche:	GA10SICP12-263.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2807 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2807 pcs

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Specifiche di GA10SICP12-263

Modello di prodotti	GA10SICP12-263	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2807 pcs	Scheda dati	GA10SICP12-263.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK (7-Lead)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Altri nomi	1242-1318 GA10SICP12-263-ND
temperatura di esercizio	175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V	Tipo FET	-
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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