GAP3SLT33-214

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GAP3SLT33-214
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Specifiche:	GAP3SLT33-214.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4870 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4870 pcs

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Specifiche di GAP3SLT33-214

Modello di prodotti	GAP3SLT33-214	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4870 pcs	Scheda dati	GAP3SLT33-214.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	2.2V @ 300mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	3300V
Contenitore dispositivo fornitore	DO-214AA	Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	0ns
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	DO-214AA, SMB
Altri nomi	1242-1172-6	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata	Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA	Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 3300V
Corrente - raddrizzata media (Io)	300mA (DC)	Capacità a Vr, F	42pF @ 1V, 1MHz
Numero di parte base	GAP3SLT33

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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