KBP210G

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	KBP210G
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Specifiche:	KBP210G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	244227 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 244227 pcs

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Specifiche di KBP210G

Modello di prodotti	KBP210G	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	244227 pcs	Scheda dati	KBP210G.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	1kV	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.1V @ 2A
Tecnologia	Standard	Contenitore dispositivo fornitore	KBP
Serie	-	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	4-SIP, KBP	Altri nomi	KBP2010GN KBP2010GN-ND KBP210GGS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Single Phase	Descrizione dettagliata	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 1000V	Corrente - raddrizzata media (Io)	2A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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