S6JR

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	S6JR
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
Specifiche:	1.S6JR.pdf 2.S6JR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	29468 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29468 pcs

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Specifiche di S6JR

Modello di prodotti	S6JR	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	29468 pcs	Scheda dati	1.S6JR.pdf 2.S6JR.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard, Reverse Polarity	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	6A
Tensione - Ripartizione	DO-4	Serie	-
Stato RoHS	Bulk	Tempo di ripristino inverso (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi	S6JRGN	Tipo montaggio	Chassis, Stud Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	S6JR
Descrizione espansione	Diode Standard, Reverse Polarity 600V 6A Chassis, Stud Mount DO-4	Configurazione diodo	10µA @ 100V
Descrizione	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Corrente - Dispersione inversa a Vr	1.1V @ 6A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	600V	Capacità a Vr, F	-65°C ~ 175°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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