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GP1M010A080FH

Global Power Technologies GroupGlobal Power Technologies Group
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: GP1M010A080FH
Costruttore / Marca: Global Power Technologies Group
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
Specifiche: GP1M010A080FH.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 4090 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4090 pcs
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Specifiche di GP1M010A080FH

Modello di prodotti GP1M010A080FH fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 4090 pcs Scheda dati GP1M010A080FH.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack Altri nomi 1560-1176-1
1560-1176-1-ND
1560-1176-5
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 800V
Descrizione dettagliata N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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