IXFA8N85XHV

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFA8N85XHV
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Specifiche:	IXFA8N85XHV.pdf
Condizione di scorta	31007 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IXFA8N85XHV

Modello di prodotti	IXFA8N85XHV	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	31007 pcs	Scheda dati	IXFA8N85XHV.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263HV
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	850V
Descrizione dettagliata	N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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