IXFH9N80Q

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFH9N80Q
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Specifiche:	IXFH9N80Q.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	11384 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11384 pcs

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Specifiche di IXFH9N80Q

Modello di prodotti	IXFH9N80Q	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 9A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	11384 pcs	Scheda dati	IXFH9N80Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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