IXFT80N65X2HV

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFT80N65X2HV
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	IXFT80N65X2HV.pdf
Condizione di scorta	7385 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7385 pcs

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Specifiche di IXFT80N65X2HV

Modello di prodotti	IXFT80N65X2HV	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7385 pcs	Scheda dati	IXFT80N65X2HV.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-268HV
Serie	HiPerFET™	Dissipazione di potenza (max)	890W (Tc)
Contenitore / involucro	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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